Kioxia introduit le flash intégré UFS 3.1 avec QLC

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  • Kioxia a annoncé le lancement de son Universal Flash Storage (UFS) Ver. Dispositifs de mémoire flash intégrés 3.1 avec technologie QLC (quadruple-level cell) à 4 bits par cellule pour les applications nécessitant une haute densité, telles que les smartphones de pointe.

    Les nouveaux appareils QLC UFS PoC (preuve de concept) de 512 Go utilisent la mémoire flash 3D BiCS FLASH de 1 To de Kioxia avec la technologie QLC ; des offres de densité QLC UFS plus importantes à l’échelle du téraoctet seront possibles à l’avenir. Le nouvel appareil est conçu pour répondre aux exigences croissantes de performances et de densité des applications mobiles pilotées par des images à plus haute résolution, des réseaux 5G, des vidéos 4K plus, etc.

    Kioxia a déclaré que la société échantillonnait maintenant ses appareils QLC UFS PoC de 512 Go pour les clients OEM.

    “Kioxia est à l’avant-garde de la mémoire UFS depuis 2013, lorsque nous avons été les premiers à tester la technologie, et nous continuons à mettre à jour notre gamme de solutions flash gérées qui font de l’amélioration de l’expérience utilisateur une réalité”, a déclaré Scott Beekman, vice-président de la mémoire. BU pour Kioxia Amérique. “QLC UFS est une autre solution intéressante à ajouter à cette large gamme.”

    Mémoire Kioxia UFS avec technologie QLC
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